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KingstonDDR3擁有更快的速度、更高的資料頻寬、更低的能量消耗和更優的終端性能。

Kingston DDR3 為第三代 DDR 記憶體技術。 Kingston DDR3 擁有更快的速度、更高的資料頻寬、更低的能量消耗和更優的終端性能。

過去幾年，金士頓一直與 JEDEC （記憶體工業標準組織）以及 DRAM 、系統及主機板製造商緊密合作，共同開發 DDR3 記憶體技術。

DDR3 記憶體晶片採用 FBGA 封裝方式，以改進其耗電和散熱性能。DDRIII 1600 FBGA封裝技術, 依照JEDEC標準時脈1600MHz 11-11-11於1.5V電壓, 204pin腳數

DDR3 記憶體無論是在 Pin 腳數、工作電壓以及 DRAM 晶片技術等方面都與 DDR 不同。



記憶體類型： DDR3 Memory
針腳及模組： 204Pin SO-DIMM
頻率： DDR3-1600MHz
功能： Unbuffer Non-ECC Memory
容量： 8GB
顆粒： 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓： 1.5 V
ＣＬ值： 11











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